| ： | MT53E512M32D1ZW-046BAAT:B TR |
|---|---|
| ： | 记忆 |
| ： | Micron Technology |
| ： | IC DRAM 16GBIT |
| ： | - |
| ： | 卷带式 (TR) |
| ： | 100 |
| ： | |
2000
$16.8100
$33,620.0000
| 类型 | 描述 |
| 制造商 | Micron Technology |
| 系列 | - |
| 包裹 | 卷带式 (TR) |
| 产品状态 | ACTIVE |
| 包装/箱 | 200-TFBGA |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 内存大小 | 16Gbit |
| 内存类型 | Volatile |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C (TC) |
| 电压 - 电源 | 1.06V ~ 1.17V |
| 技术 | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| 时钟频率 | 2.133 GHz |
| 内存格式 | DRAM |
| 供应商设备包 | 200-TFBGA (10x14.5) |
| 年级 | Automotive |
| 写入周期时间 - 字、页 | 18ns |
| 内存接口 | Parallel |
| 存取时间 | 3.5 ns |
| 记忆组织 | 512M x 32 |
| 资质 | AEC-Q100 |
